坚守创新与信任

POSSEM株式会社成立于2017年11月，旨在实现基于化合物半导体（GaAs、InP）的光器件——激光二极管及光接收器件的产业化。与单晶半导体Si、Ge不同，化合物半导体是由两种或两种以上不同元素结合形成的晶体。通过调整不同元素的组成比例，可以形成多种不同类型的带隙。 尤其是具有不同带隙的直接带隙型化合物半导体，不仅能够实现可见光范围内的蓝光、绿光和红光光器件，还能够实现人眼不可见的紫外光及红外光等多种波长的光器件，具有广泛的应用优势。

POSSEM株式会社的CEO和CTO分别在该领域拥有18年和12年以上的从业经验，积累了丰富的实践经验和专业知识，是该领域的资深专家。 POSSEM拥有丰富的知识及制造技术，涵盖应用于数据中心等短距离光通信的850nm波段VCSEL（垂直腔面发射激光器，Vertical Cavity Surface Emitting Laser）及其配套的GaAs PIN光电二极管（GaAs PIN Photo Diode），以及应用于1300~1550nm波段中距离光通信的InGaAs PIN PD（光电二极管，Photo Diode）和应用于长距离光通信的InGaAs APD（雪崩光电二极管，Avalanche Photo Diode）等光接收器件。此外，公司还掌握了可在970nm波段连续运行的20W级高功率激光二极管芯片开发技术。

高功率激光二极管和雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode）是自动驾驶汽车核心传感器模块——即LiDAR（Light Detection and Ranging，激光雷达）传感器的关键部件，也是第四次工业革命的重要基础技术。 POSSEM株式会社全体员工都怀抱热情并不断努力，以实现此类产品的商业化。